福岡県内の八女郡広川町の基礎、応用研究、分析(電気・電子)の転職・求人情報一覧

【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。

【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品...

• 給与

  5,000,000円 〜 7,500,000円

• 場所

  〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2
  広川ICより車で約5分
  JR鹿児島本線「西牟田」駅より車で約15分
  
  

• 応募資格

  【必須】
  ■いずれかの経験がある方
  ・半導体業界でSiCの研究開発経験
  ・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験
  ・半導体プロセス開発経験
  
  【このような方におすすめです】
  同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
  今後の更なる飛躍を目指し、
  志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。