仕事詳細
【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。
【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発
SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ/金型/リードフレーム/パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。
職種
基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)、生産・製造スタッフ
勤務地(住所)
〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2
広川ICより車で約5分
JR鹿児島本線「西牟田」駅より車で約15分
給与・年収
5,000,000円 〜 7,500,000円
待遇・福利厚生
年収:500万~850万
■月給制:月額224000円
■給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
■賞与:年2回(6月・12月、年間平均4ヶ月)
■昇給:あり
■雇用形態:正社員
■試用期間補足:3ヶ月
■待遇■
通勤手当(上限4万円)、退職金制度、住宅制度(結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など)、社内厚生施設(社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど)
■勤務時間:8:15~17:15
■休憩:60分
■喫煙情報:敷地内禁煙
休日・休暇
週休2日制(土日)、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇(最大20日)