製造技術・プロセス開発/【MOS】の転職・求人情報一覧

■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。

【具体的には】
■ウェハプロセス開発／インテグレーション
例：構想検討～量産技術確立
■デバイス構造設計／インテグレー...

• 給与

  500-1000万円

• 場所

  愛媛県

ITインフラ構築、運用保守、SE支援等の業務をお任せします。
※スキルや経験、習熟度に応じて各プロジェクトに割り振ります。

▼プロジェクト一例
・AWS/Azure技術支援、運用保守
・クラウド設計～構築支援
・サーバ、ミドルウェア、ネットワーク設計～運用保守　等
未経験～若手層の方は、レベルに応じたプロジェクトからスタートしていきます。
先輩社員のフォローや、教育環境があるプロジェクトに...

• 給与

  3,000,000円 〜 4,000,000円

• 場所

  東京都
  1020074
  【本社所在地】東京都千代田区九段南3-4-5　フタバ九段ビル5階
  最寄り駅
  

• 応募資格

  ■Excelを業務で使用したことがある方
  ■PCを使用したことがある方
  
  ※勤務地に関しては「勤務地詳細」をご確認下さい。
  
  インフラエンジニアとして活躍していきたい方を歓迎しております。
  ※LinuC/LPIC、CCNA、AWS認定等の資格をお持ちの方は優先して面接へご案内いたします。

半導体デバイスの開発、設計、試作、製造までの一貫生産体制を構築しております。 独自に開発したCIMによる効率的な運営管理を進め、最新のプロセス技術を駆使し、お客様のニーズに合わせた究極の製品づくりに取り組んでおり、MOSロジックLSIの製造で製品分野は、アナログ、マイコン、CCDエリアセンサを主力とする多彩な製品群を製造しております。

その中でも、拡散炉・ウェットエッチング工程におけるプロ...

• 給与

  月給　240000円　～　480000円　（※想定年収　3800000円　～　4800000円）
  ※試用期間は6ヶ月で、そのほかの条件に変更はありません。

• 場所

  大分県大分市

• 応募資格

  学歴不問

同社にて、電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価業務をご担当いただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスの設計、デ...

• 給与

  430-1200万円
  ※上記年収は残業代及び諸手当込み　※経験を考慮して決定
  ※採用時の職種や職能資格により、試用期間終了後に本人が希望し会社が認めた場合に「裁量労働制(専門業務型、企画業務型)」を適用する可能あり

• 場所

  愛知県

データアナリスト・データエンジニアとして業務をお任せ致します。
※スキルや経験、習熟度に応じて各プロジェクトに割り振ります。

ｰｰｰデータエンジニアとはｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰｰ
各企業の持っているデータをSQLやPythonを使用して活用できる形にする仕事です。
ｰｰｰデータアナリストとはｰｰｰｰ...

• 給与

  3,000,000円 〜 4,000,000円

• 場所

  東京都
  1020074
  【本社所在地】東京都千代田区九段南3-4-5　フタバ九段ビル5階
  最寄り駅
  

• 応募資格

  ▼必須要件
  未経験OK
  ■Excelを使用した経験がある方
  ■データ領域で活躍してみたい方
  
  ▼歓迎
  ■統計学に興味がある方
  ■TableauなどのBIツールの使用経験がある方
  ■SQL言語やExcel関数（VLOOKUP、IFなど)使用経験がある方
  
  その他IT関連資格（統計検定、MOS、基本情報等）保有者も大歓迎です。

【愛知県日進市】【Web面接可】パワー半導体素子の企画/開発/設計（電動車向け）

■採用背景：
地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。我々は、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するた…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜950万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  <年収例>
  32歳（大卒入社10年目）640万円（残業代含まず）
  35歳（大卒入社13年目）750万円（残業代含まず）
  45歳（大卒入社23年目）1150万円（...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  先端技術研究所
  住所：愛知県日進市米野木町南山500-1
  勤務地最寄駅：名鉄豊田線／米野木駅
  受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること
  　※パワー半導体の経験有無は問いません。上記経験がなくても、学習意欲のある方は大歓迎です
  
  ■歓迎経験：
  ・パワー半導体に関する知識を有すること
  ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダー経験者
  ・海外顧...

【仕事内容】
半導体エンジニアとして、スキル・経験に応じて様々なプロジェクトに携わって頂くことになります。
※適性・経験等を考慮して採用部署を決定しますが、下記いずれかになる可能性が高いです。

【ウェーハデバイス開発】
半導体の製品企画、設計、開発、量産における条件の最適化や生産プロセス製品化をトータルで推進する仕事です。最新鋭の装置を駆使して、最先端プロセス/デバイス技術開発を行い、次世...

• 給与

  月給　300000円　～　500000円　（※想定年収　4000000円　～　8000000円）

• 場所

  株式会社デルタエンジニアリング顧客先企業
  熊本県菊池郡菊陽町原水（最寄駅：JR豊肥本線 原水駅　車で 8分 JR豊肥本線 肥後大津駅 車で10分）
  株式会社デルタエンジニアリングと雇用契約を結び、雇用形態は正社員社員となります。

• 応募資格

  高専卒業以上 / 未経験OK
  必須要件
  ・理系学部出身の方（電気・電子・情報・機械・化学・物理・材料 等）

【三重県桑名市】【Web面接可】パワー半導体素子の企画/開発/設計（電動車向け）

■採用背景：
地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。我々は、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するた…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜950万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  <年収例>
  32歳（大卒入社10年目）640万円（残業代含まず）
  35歳（大卒入社13年目）750万円（残業代含まず）
  45歳（大卒入社23年目）1150万円（...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  桑名事務所
  住所：三重県桑名市多度町御衣野2000
  勤務地最寄駅：養老鉄道線／下野代駅
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること
  　※パワー半導体の経験有無は問いません。上記経験がなくても、学習意欲のある方は大歓迎です
  
  ■歓迎経験：
  ・パワー半導体に関する知識を有すること
  ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダー経験者
  ・海外顧...

【職務概要】
電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiC-MOS）のデバイス設計や
デバイスのプロセス工法開発及びその評価をご担当いただきます。

【職務詳細】
下記業務のいずれかに携わっていただきます。
・パワーデバイスの設計、デバイス開発
・パワーデバイスのプロセス工法開発
・パワーデバイス向け要素技術開発
・パワーデバイスのCAE、試作、評価、解析

～募集背景～
地球環境問題は重要な...

• 給与

  4,000,000円 〜 6,500,000円

• 場所

  愛知県豊田市西広瀬町桐ケ洞543
  豊田市バス「昭和の森口」徒歩20分
  勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし

• 応募資格

  【必須】
  ・パワー半導体に関する知識を有すること
  ・半導体デバイスの設計、評価、又はプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発経験（3年以上）
  
  【尚可】
  ・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（5年以上）
  ・プロジェクトリーダーまたはサブリーダーの経験者
  
  ※株式会社デンソーの社員として、株式会社ミライズテクノロジーズに出向...

【仕事内容】
半導体エンジニアとして、スキル・経験に応じて様々なプロジェクトに携わって頂くことになります。
※適性・経験等を考慮して採用部署を決定しますが、下記いずれかになる可能性が高いです。

【ウェーハデバイス開発】
半導体の製品企画、設計、開発、量産における条件の最適化や生産プロセス製品化をトータルで推進する仕事です。最新鋭の装置を駆使して、最先端プロセス/デバイス技術開発を行い、次世...

• 給与

  月給　300000円　～　500000円　（※想定年収　4000000円　～　8000000円）

• 場所

  株式会社デルタエンジニアリング顧客先企業
  熊本県菊池郡菊陽町原水（最寄駅：JR豊肥本線 原水駅　車で 8分 JR豊肥本線 肥後大津駅 車で10分）
  株式会社デルタエンジニアリングと雇用契約を結び、雇用形態は正社員社員となります。

• 応募資格

  高専卒業以上 / 未経験OK
  必須要件
  ・理系学部出身の方（電気・電子・情報・機械・化学・物理・材料 等）

【茨城／ひたちなか】ウエハプロセス技術エンジニア（リソグラフィー）〜東証プライム上場〜＃55554

【半導体工学の知見・経験を活かしウエハプロセス技術エンジニアとして活躍いただける方募集します！】
〜東証プライム上場の半導体メーカー／年休125日・年次有給休暇23日付与・フレ…

• 給与

  ＜予定年収＞
  670万円〜830万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：291,900円〜389,201円
  
  ＜月給＞
  291,900円〜389,201円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ※管理職の場合、残業手当の支給なし。
  ※経験・年齢等により管理監督者採用となり、残業代の支給はありません。
  ■昇給：年1回
  ■賞与：年2回
  
  賃金はあくまでも目...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  那珂事業所
  住所：茨城県ひたちなか市堀口751
  勤務地最寄駅：JR常磐線
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必須条件：
  ・リソグラフィプロセスの業務経験を有する方
  
  ■歓迎条件：
  ・リソグラフィープロセス使用設備の導入／評価経験を有する方
  ・リソグラフィープロセス開発／改善経験を有する方
  ・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
  ...

同社にて、電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価業務をご担当いただきます。

【具体的には】
※ご経験やご希望に応じて、...

• 給与

  430-1200万円
  ※上記年収は残業代及び諸手当込み　※経験を考慮して決定
  ※採用時の職種や職能資格により、試用期間終了後に本人が希望し会社が認めた場合に「裁量労働制(専門業務型、企画業務型)」を適用する可能あり

• 場所

  愛知県

■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。

【具体的には】
■ウェハプロセス開発／インテグレーション
例：構想検討～量産技術確立
■デバイス構造設計／インテグレー...

• 給与

  500-1000万円

• 場所

  茨城県

【愛知県豊田市】【Web面接可】パワー半導体素子の企画/開発/設計（電動車向け）

■採用背景：
地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。我々は、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するた…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜950万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  <年収例>
  32歳（大卒入社10年目）640万円（残業代含まず）
  35歳（大卒入社13年目）750万円（残業代含まず）
  45歳（大卒入社23年目）1150万円（...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること
  　※パワー半導体の経験有無は問いません。上記経験がなくても、学習意欲のある方は大歓迎です
  
  ■歓迎経験：
  ・パワー半導体に関する知識を有すること
  ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダー経験者
  ・海外顧...

【担当業務・役割】
（1）車載向けアルミ電解コンデンサ（ハイブリッドコンデンサ）の、生産設備の新規設備開発、導入業務。
（2）設備のIoT化による工場DXの推進
（3）設備の正常性を確保するための設備保全業務。
（4）設備安全対策、品質改善対応　等になります。
・品質、技術、オペレーション、この3点に長けたメーカーが、市場からは求められています。市場が急速に拡大する中、着実かつ迅速に生産体制...

• 給与

  5,500,000円 〜 7,500,000円

• 場所

  山口県山口市朝田作田口1285番地
  JR山口線「大歳」駅より徒歩15分
  勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所

• 応募資格

  【必須】
  ・生産設備開発に関する制御系専門技術
  ・生産設備開発業務経験（最低5年以上の経験）
  ・高速駆動設備に関する知識
  ・2DCADもしくはPLC（オムロン、キーエンス、パナソニック）に関する知識
  ・MOSを自在に操作・活用できる知識・経験（特にExcel）
  ・外注業者との調整・管理監督業務経験
  
  【尚可】
  ・画像処理装置（キーエンス、パナソニック）に関する知識
  ・工場DXに関する知識

【愛知県豊田市】研究開発（パワー半導体デバイス、プロセス）／国内最大手自動車部品メーカー／フレックス

■職務内容：電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やプロセス工法開発、評価に携わっていただきます
・パワーデバイスの設計、デバイス開発
・パワーデ…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜1,200万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ※経験・年齢を考慮して決定致します。
  ■賞与：年2回
  ■昇給：年1回
  ■モデル年収：
  1150万円／45歳（大卒入社23年目）扶養家族2人　※残業含まず
  7...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・パワー半導体に関する知識
  上記をお持ちの上で、下記いずれかの経験
  ・半導体デバイスの設計、評価
  ・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発
  
  ■歓迎経験：
  ・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（3...