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  • 正社員
  • 転勤なし
  • 年間休日120日以上
  • 土日祝日休み
  • マイカー通勤可
  • 5日以上長期休暇あり

大熊ダイヤモンドデバイス株式会社

【世界初の技術に挑む!】ダイヤモンド半導体の研究員(つくば)

募集要項

仕事詳細
茨城県つくば市の産業技術総合研究所内にある弊社オフィスにて、弊社熟練技術者の指導の下に、ダイヤモンド半導体の性能改善および量産技術の確立に向けた研究を行っていただきます。

【詳細】
■ダイヤモンド半導体のプロセスの改善および量産化技術の研究開発
■現行プロセスに対する問題点の特定および解析
■革新的な技術や手法の提案および実装
■実験計画の策定、実験実施、データ分析および評価

【募集背景】
当社は、福島第一原発での事故をきっかけとした国家プロジェクトで集結したメンバーが中心となり、「国難に立ち向かうことで集結した技術により、ダイヤモンド半導体を社会実装する」というミッションの下に立ち上がったスタートアップ企業です。
当社は廃炉への納品責務を背負っていた為、実用的なダイヤモンド半導体の開発を行ってきた世界でも唯一のポジションにあり、世界で最も早くダイヤモンド半導体の社会実装を実現するため、これから研究開発を更に加速するための採用を強化しております。当社のミッションに共感し、主体的に楽しみながら開発や業務を推進頂ける方に、是非ご応募頂きたいと考えています。
弊社について更に知りたい方は、弊社の投資家でもあるCoral Capitalが作成された、こちらの記事もご一読下さい<https://coralcap.co/2023/05/ookuma-dd/>
職種
基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)
雇用形態
正社員
勤務地(住所)
茨城県つくば市梅園1-1-1
産業技術総合研究所 中央第2第二事業所内
給与・年収
5,000,000円 〜 8,000,000円
待遇・福利厚生
<月給>
基本給309,400円〜495,300円
※固定残業代45h分:106,600円〜170,700円/月を含む
<諸手当>
・休日勤務手当
・出張手当
・役職手当
・残業手当(固定残業超過分)
・通勤手当
<給与補足>
※スキル・経験により変動する可能性があります。
※適性・前職考慮いたします

■賞与:年俸制のためなし
■社会保険 完備(健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険)
■通勤手当:有
■退職金:無
■自転車通勤可(全従業員利用可)
■服装自由(全従業員利用可)
■ストックオプション(一部従業員利用可)
休日・休暇
■年間休日日数:120日
○休日:完全週休2日(土日祝)
○休暇:有給休暇、年末年始休暇、夏期休暇
求人更新日
2024年2月2日

求人の募集元企業

会社名
大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
事業内容
次世代パワー半導体「ダイヤモンド半導体」の研究開発

当社は、福島第一原発での事故をきっかけとした国家プロジェクトで集結したメンバーが中心となり、「国難に立ち向かうことで集結した技術により、ダイヤモンド半導体を社会実装する」というミッションの下に立ち上がったスタートアップ企業です。今まさに実用化が進められているフェーズであり、福島第一原子力発電所の廃炉事業や通信衛星・次世代通信基地局といった市場への展開を進めております。

【詳細】
■中性子検出器事業(廃炉対応)
■耐環境デバイス事業(宇宙・衛星通信市場)
■RF/高周波・高出力デバイス事業(次世代通信基地局市場)

【ダイヤモンド半導体の何がすごい?】
ダイヤモンド半導体は、500℃の高温環境でも性能劣化なく動作し、ガンマ線など放射線が飛び交う環境下でも動作する特長を持ちます。こうした耐過酷環境性能によって、福島第一原発の廃炉という国難への切り札として見込まれ、同じく過酷環境下である宇宙空間における衛星通信への応用も期待されてます。
またダイヤモンド半導体の出力・周波数特性は、既存半導体と比較して圧倒的な理論性能を持ち、次世代高速通信であるBeyond5Gにおいて唯一実現できる領域があると言われます。Beyond5Gの普及によって、自動運転や遠隔医療、生成AI、IoTなど低遅延・高速通信の恩恵を受ける領域も多く、ダイヤモンド半導体は技術文明を大きく前進させる重要なカギを握っていると考えております。

応募方法

応募資格
<必須条件>
・高専卒以上の方
・クリーンルームでの作業・業務に支障がない方
・電気・電子工学ないしは、物理学、材料科学、化学などの関連分野の学士号以上を有する方、または同等の知識経験をお持ちの方(高専卒含む)

<歓迎条件>
以下いずれかに関する研究開発経験を有する方
・半導体プロセス(特に量産化技術に関する経験があれば尚可)
・半導体新材料(SiC、GaN等)
・RF(高周波デバイス)

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