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京都府、京都市西京区、半導体・電気・電子部品の転職・求人検索結果
JobResult
3件中、
1〜3件を表示
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- 正社員
- 第二新卒・既卒者可
- 転勤なし
- 年間休日120日以上
- 土日祝日休み
- 完全週休2日制
Anjet Research Lab株式会社
【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】
【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発/年休120日
〜業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/大手半導体メーカー出身社員(10~30年以上の経験を有するメンバー)と共に高度な技術開発ができ、顧客…-
<予定年収>
600万円〜1,100万円
<賃金形態>
年俸制
<賃金内訳>
年額(基本給):6,000,000円〜11,000,000円
<月額>
500,000円〜916,666円(12分割)
<昇給有無>
有
<残業手当>
無
<給与補足>
賞与:なし
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 -
<勤務地詳細>
本社
住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり -
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
<応募資格/応募条件>
■必須条件:パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
(例)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等
■歓迎条件※あれば尚可
デバイスシミュレーター(Synopsis Sen...
情報提供元:
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- 正社員
- 年間休日120日以上
- 完全週休2日制
- 女性活躍中
- 退職金制度あり
- 社宅・寮・住宅補助あり
株式会社堀場エステック
【京都市】研究開発(半導体プロセス装置の機械設計)※年休122日/HORIBAグループ【エージェントサービス求人】
【京都市】研究開発(半導体プロセス装置の機械設計)※年休122日/HORIBAグループ
■業務内容:将来のビジネスのための要素技術を開発する部署にて、半導体プロセス用コンポーネントや装置の開発設計をご担当いただきます。
・機械設計
・実験評価
・客先での立ち上げ等
■部門の役…-
<予定年収>
400万円〜800万円
<賃金形態>
月給制
<賃金内訳>
月額(基本給):205,000円〜352,000円
<月給>
205,000円〜352,000円
<昇給有無>
有
<残業手当>
有
<給与補足>
※これまでのご経験、適性に応じて決定致します。
■昇給:年1回(4月)
■賞与:年2回(6月、12月)
※別途条件により下記手当支給
次世代育成手当、通勤手当、... -
<勤務地詳細1>
本社
住所:京都府京都市南区上鳥羽鉾立町11-5
勤務地最寄駅:近鉄京都線/十条駅
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
<勤務地詳細2>
京大桂ベンチャープラザ内
住所:京都府京都市西京区御陵大原1-36
受動喫煙対策:屋内全面禁煙 -
<最終学歴>大学院、大学卒以上
<応募資格/応募条件>
【必須要件】
・3DCADの使用経験(目安2年以上)
・要求仕様の取り纏め〜詳細設計までのご経験
【歓迎要件】
・TOEIC(R)テスト600点以上
・プロジェクトリーダー経験
・外注業者の管理経験
情報提供元:
-
- 正社員
- 第二新卒・既卒者可
- 転勤なし
- 年間休日120日以上
- 土日祝日休み
- 完全週休2日制
Anjet Research Lab株式会社
【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】
【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日
〜業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」…-
<予定年収>
600万円〜1,100万円
<賃金形態>
年俸制
<賃金内訳>
年額(基本給):6,000,000円〜11,000,000円
<月額>
500,000円〜916,666円(12分割)
<昇給有無>
有
<残業手当>
無
<給与補足>
賞与:なし
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 -
<勤務地詳細>
本社
住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり -
<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
<応募資格/応募条件>
■必須条件:パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方
(1)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験
(2)ファウウンドリーでのデバイス試作経験
(3)デバイスシミュレーター(Synopsis Sentauru...
情報提供元:
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1〜3件を表示
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- 第二新卒・既卒者可
- 学歴不問
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- 転勤なし
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- 外資系企業
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- 賞与あり
- オフィス内禁煙・分煙
- 完全週休2日制
- U・Iターン歓迎
- 障がい者積極採用
- 社食、食事補助あり
- 急募求人
- 女性管理職登用実績あり
- 教育制度充実
- 面接1回
- 従業員平均年齢20代
- 5日以上長期休暇あり
- 20代管理職登用実績あり
- 女性活躍中
- 学生・フリーター歓迎
- 自社製品・サービス取り扱い
- 株式公開企業・公開準備中企業
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- 上場企業
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- 社宅・寮・住宅補助あり
- 独立支援制度あり
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- リモートワーク可
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