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京都府、京都市西京区、半導体・電気・電子部品の転職・求人検索結果

JobResult
職種 例)営業、事務、企画
業種
勤務地

企業名

キーワード

雇用形態
年収

3件中、
1〜3件を表示

    • 正社員
    • 第二新卒・既卒者可
    • 転勤なし
    • 年間休日120日以上
    • 土日祝日休み
    • 完全週休2日制

    Anjet Research Lab株式会社

    【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】

    【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発/年休120日

    〜業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/大手半導体メーカー出身社員(10~30年以上の経験を有するメンバー)と共に高度な技術開発ができ、顧客…

    • 給与

      <予定年収>
      600万円〜1,100万円

      <賃金形態>
      年俸制

      <賃金内訳>
      年額(基本給):6,000,000円〜11,000,000円

      <月額>
      500,000円〜916,666円(12分割)

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      賞与:なし

      賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
      月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

    • 場所

      <勤務地詳細>
      本社
      住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
      受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
      <応募資格/応募条件>
      ■必須条件:パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
      (例)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等

      ■歓迎条件※あれば尚可
      デバイスシミュレーター(Synopsis Sen...

    Anjet Research Lab株式会社/【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

    • 正社員
    • 年間休日120日以上
    • 完全週休2日制
    • 女性活躍中
    • 退職金制度あり
    • 社宅・寮・住宅補助あり

    株式会社堀場エステック

    【京都市】研究開発(半導体プロセス装置の機械設計)※年休122日/HORIBAグループ【エージェントサービス求人】

    【京都市】研究開発(半導体プロセス装置の機械設計)※年休122日/HORIBAグループ

    ■業務内容:将来のビジネスのための要素技術を開発する部署にて、半導体プロセス用コンポーネントや装置の開発設計をご担当いただきます。
    ・機械設計
    ・実験評価
    ・客先での立ち上げ等
    ■部門の役…

    • 給与

      <予定年収>
      400万円〜800万円

      <賃金形態>
      月給制

      <賃金内訳>
      月額(基本給):205,000円〜352,000円

      <月給>
      205,000円〜352,000円

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      ※これまでのご経験、適性に応じて決定致します。
      ■昇給:年1回(4月)
      ■賞与:年2回(6月、12月)
      ※別途条件により下記手当支給
      次世代育成手当、通勤手当、...

    • 場所

      <勤務地詳細1>
      本社
      住所:京都府京都市南区上鳥羽鉾立町11-5
      勤務地最寄駅:近鉄京都線/十条駅
      受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
      <勤務地詳細2>
      京大桂ベンチャープラザ内
      住所:京都府京都市西京区御陵大原1-36
      受動喫煙対策:屋内全面禁煙

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学卒以上
      <応募資格/応募条件>
      【必須要件】
      ・3DCADの使用経験(目安2年以上)
      ・要求仕様の取り纏め〜詳細設計までのご経験

      【歓迎要件】
      ・TOEIC(R)テスト600点以上
      ・プロジェクトリーダー経験
      ・外注業者の管理経験

    株式会社堀場エステック/【京都市】研究開発(半導体プロセス装置の機械設計)※年休122日/HORIBAグループ【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

    • 正社員
    • 第二新卒・既卒者可
    • 転勤なし
    • 年間休日120日以上
    • 土日祝日休み
    • 完全週休2日制

    Anjet Research Lab株式会社

    【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】

    【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日

    〜業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」…

    • 給与

      <予定年収>
      600万円〜1,100万円

      <賃金形態>
      年俸制

      <賃金内訳>
      年額(基本給):6,000,000円〜11,000,000円

      <月額>
      500,000円〜916,666円(12分割)

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      賞与:なし

      賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
      月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

    • 場所

      <勤務地詳細>
      本社
      住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
      受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上
      <応募資格/応募条件>
      ■必須条件:パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方
      (1)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験
      (2)ファウウンドリーでのデバイス試作経験
      (3)デバイスシミュレーター(Synopsis Sentauru...

    Anjet Research Lab株式会社/【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

3件中、
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