愛知県内の豊田市の機器・デバイス設計・開発/上場企業/正社員の転職・求人情報一覧

【転勤なし！大手メーカーの開発分野で就業できます】
トヨタ自動車株式会社、パナソニック株式会社、株式会社日立製作所といった全国の大手メーカーで、製品の開発工程に携わっていただきます。

【設計エンジニアとは？】
設計から試作品製造、性能検証など、製品を完成させるための技術者です。様々な人が関わるものづくりの工程において、中核として自らのアイデアを形にしていく、花形とされるポジションです。

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• 給与

  月給　350000円　～　550000円　（※想定年収　5000000円　～　9000000円）
  残業代全額支給＋賞与
  
  ★一律で月1万円の住宅手当を含みます。
  ★試用期間3ヶ月あり。（期間中の給与・待遇は変わりません）
  ★サービス残業なし！別途、時間外労働分（所定時間外、休日または深夜労働を1分単位で計測し、所定の割増率を乗じた金額で支給）を支給！
  
  ※前職の給与、希望年収を考慮いたします...

• 場所

  愛知県豊田市
  正社員（無期雇用派遣）
  ★エンジニアとして長く活躍したい方を応援します！
  無期雇用派遣とは、当社の正社員として入社していただいた上で、大手メーカーをはじめとするプロジェクトに従事していただく働き方です。一般的な登録型派遣とは異なり、「正社員型派遣」となるため、雇用期間に期限はありません。派遣期間以外でも給与は保証されますし、賞与も支給されます。
  
  ★最終的な就業先は、あなたのご...

• 応募資格

  高校卒業以上 / 経験者のみ募集
  
  高卒以上／設計、生産技術、品質保証の経験がある方
  
  ～以下に当てはまる方は大歓迎です！～
  ○製造、整備士経験がある方
  ○CADを利用したことがある、製図を学んできた方
  英語力を活かしたい方
  
  ブランクがある方、経験の浅い方も歓迎！

【愛知県豊田市 日進市】研究開発（パワー半導体モジュール）／国内最大手自動車部品メーカー／フレックス

■募集背景：
自動車の電動化が急拡大し、パワーエレクトロニクスコンポーネント製品のグローバルな競争が激しくなってきています。SiCなど高性能な次世代パワー半導体デバイスの採用…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜1,150万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ※経験・年齢を考慮して決定致します。
  ■賞与：年2回
  ■昇給：年1回
  ■モデル年収：
  1150万円／45歳（大卒入社23年目）扶養家族2人　※残業含まず
  7...

• 場所

  ＜勤務地詳細1＞
  先端技術研究所
  住所：愛知県日進市米野木町南山500-1
  勤務地最寄駅：名鉄豊田線／米野木駅
  受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり
  ＜勤務地詳細2＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・パワー半導体モジュールの設計・開発経験
  ・プロジェクトのサブリーダー以上の経験
  
  ■歓迎経験：
  下記の知識、スキルのある方は優遇します
  ・パワーエレクトロニクス技術に関する知識
  ・金属材料、樹脂材料、セラミック材料の基礎知識　
  
  
  ＜語学補足＞
  英語力※TOEIC(R)テスト600...

【業務内容】
CATIA　V5用いた自動車の設計業務
※案件は多数ございますので、様々な分野・勤務地でご活躍頂けます。
（内装設計、ボデー設計、エンジン設計、ブレーキ部品の設計等）

【必須要件】
・設計業務経験のある方
・愛知県岡崎市まで通勤可能な方
・PC操作が可能な方（Excel、Word、PowerPointで使用作成）

【尚可要件】
・コミュニケーション能力の高い方
・英語能力の...

• 給与

  年俸　4000000円　～　8000000円
  経験・スキルに応じて変動あり
  昇給あり
  前職給与保証
  ※試用期間は3ヶ月です。
  　メンターがサポートさせていただきます。
  支払方法：年俸の1/12を毎月支給

• 場所

  愛知県岡崎市、豊田市、小牧市

• 応募資格

  高校卒業以上 / 経験者のみ募集

【愛知・豊田】研究開発（パワー半導体デバイス、プロセス）／国内大手自動車部品メーカー／フレックス

■職務内容：電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やプロセス工法開発、評価に携わっていただきます
・パワーデバイスの設計、デバイス開発
・パワーデバイ…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜1,150万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ※経験・年齢を考慮して決定致します。
  ■賞与：年2回
  ■昇給：年1回
  ■モデル年収：
  1150万円／45歳（大卒入社23年目）扶養家族2人　※残業含まず
  7...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必要経験：
  ・パワー半導体に関する知識
  上記をお持ちの上で、下記いずれかの経験
  ・半導体デバイスの設計、評価
  ・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発
  
  ■歓迎経験：
  ・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（3...

【愛知県豊田市】 【Web面接可】パワー半導体の分析、解析、信頼性評価技術（電動車向けインバータ）

■職務内容
以下の業務に携わって頂きます。
電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発
・パワー半導体、パワーモジュールの分…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜1,150万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ※経験・年齢を考慮して決定致します。
  ■賞与：年2回
  ■昇給：年1回
  ＜年収例＞
  32歳（大卒入社10年目）640万円（残業代含まず）
  35歳（大卒入社13...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ＜必須要件＞
  下記いずれかに当てはまる方
  ・半導体の分析・解析技術開発経験
  ・半導体の信頼性評価技術開発経験
  
  ＜歓迎要件＞
  ・パワー半導体に関する知識を有すること　
  ・パワー半導体の分析、解析、信頼性評価経験
  ・パワー半導体の分析、解析、信頼性評価技術開発経験
  
  

【日進市／豊田市】材料・デバイス・プロセス研究（電動車向けインバータ、電源機器用次世代パワー半導体）

■募集背景
パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行ってお…

• 給与

  ＜予定年収＞
  550万円〜1,150万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：280,000円〜640,000円
  
  ＜月給＞
  280,000円〜640,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ＜年収例＞
  32歳（大卒入社10年目）640万円（残業代含まず）
  35歳（大卒入社13年目）750万円（残業代含まず）
  45歳（大卒入社23年目）1150万...

• 場所

  ＜勤務地詳細1＞
  先端技術研究所
  住所：愛知県日進市米野木町南山500-1
  勤務地最寄駅：名鉄豊田線／米野木駅
  受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり
  ＜勤務地詳細2＞
  広瀬製作所
  住所：愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ＜MUST要件＞
  ・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
  ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
  
  ＜WANT要件＞
  ・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
  ・エピタキシャル成長に関するプロセス／装置...