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茨城県、古河市、基礎、応用研究、分析(電気・電子)、上場企業の転職・求人検索結果
JobResult
3件中、
1〜3件を表示
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- 正社員
- 未経験者歓迎
- 第二新卒・既卒者可
- 退職金制度あり
- 上場企業
- 社宅・寮・住宅補助あり
- 40代以上活躍中
平河ヒューテック株式会社
【茨城/古河】医療機器の開発・設計担当 〜未経験・第二新卒歓迎/残業20h以下/マイカー通勤可〜【エージェントサービス求人】
【茨城/古河】医療機器の開発・設計担当 〜未経験・第二新卒歓迎/残業20h以下/マイカー通勤可〜
〜※第二新卒歓迎※東証プライム上場/残業20h以下/福利厚生◎/創業70年超の安定経営〜
【業務概要】:
自社技術を活かした医療機器製品を通して、患者、医療従事者への貢献を進め…-
<予定年収>
350万円〜450万円
<賃金形態>
月給制
<賃金内訳>
月額(基本給):215,000円〜270,000円
<月給>
215,000円〜270,000円
<昇給有無>
有
<残業手当>
有
<給与補足>
年齢・経験に応じて相談します。
■昇給:年1回(4月)
■賞与:年3回(6月・11月・3月)
【モデル年収】
(例1)410万円 28歳 役職無し(月給:24万... -
<勤務地詳細>
古河事業所
住所:茨城県古河市東牛谷1144
勤務地最寄駅:東北本線/野木駅
受動喫煙対策:屋内全面禁煙 -
<最終学歴>大学院、大学卒以上
<応募資格/応募条件>
<第二新卒歓迎><業界未経験歓迎><職種未経験歓迎>
■必須条件:
・大卒または大学院卒で理系学部(機械・電気・化学専攻等)を専攻していた方
(経験は問いません)
情報提供元:
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- NEW
- 正社員
- 転勤なし
- 年間休日120日以上
- 産休・育休取得実績
- マイカー通勤可
- 5日以上長期休暇あり
- 上場企業
三桜工業株式会社
【新潟・長岡】研究開発(次世代半導体基板加工技術開発)/独立系Tier1メーカー/プライム上場
【業務内容】
・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の新規基板加工技術開発
・次世代半導体基板の加工品質評価・分析
・開発技術の特許出願
・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善
・基板加工装置の改善・改造 など
【企業の特徴】
(1)国内の全日系完成車メーカーと取引がある、大企業をクライアントとして持つ優良企業
(2)ブレーキチューブ、燃料チューブ、冷却チューブ等の配管製品は...-
5,000,000円 〜 7,500,000円
-
※入社時は「ながおか新産業創造センター」に勤務いただき、数年後、古河事業所(茨城県古河市)にて勤務いただく予定です。
■ながおか新産業創造センター
所在地:新潟県 長岡市 深沢町2085-16
■古河事業所
所在地:茨城県古河市鴻巣758 -
<必須条件>
・物理、化学、機械のいずれかに関する知識
・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識
<歓迎条件>
・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験
・TOEIC600点以上
情報提供元:
-
- 正社員
- フレックスタイム制
- 年間休日120日以上
- 土日祝日休み
- 完全週休2日制
- 退職金制度あり
- 上場企業
三桜工業株式会社
研究開発(次世代半導体基板加工技術開発) ※東証プライム/独立系Tier1メーカー【エージェントサービス求人】
研究開発(次世代半導体基板加工技術開発) ※東証プライム/独立系Tier1メーカー
〜東証プライム上場の独立系Tier1メーカー/自動車用配管部品で国内シェアNo.1/22ヵ国92ヵ所に製造拠点を持つ/生産加工設備はほぼ内製化〜
■業務内容:
同社の次世代半導体基板(GaN…-
<予定年収>
500万円〜750万円
<賃金形態>
月給制
補足事項なし
<賃金内訳>
月額(基本給):230,000円〜
<月給>
230,000円〜
<昇給有無>
有
<残業手当>
有
<給与補足>
※経験・年齢・能力を考慮のうえ、当社給与規定により決定します。
■昇給:年1回
■賞与:年2回
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(... -
<勤務地詳細1>
古河事業所
住所:茨城県古河市鴻巣758
勤務地最寄駅:JR宇都宮線/古河駅
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
<勤務地詳細2>
ながおか新産業創造センター
住所:新潟県長岡市深沢町2085−16
勤務地最寄駅:JR線/長岡駅
受動喫煙対策:屋内全面禁煙 -
<最終学歴>大学院、大学卒以上
<応募資格/応募条件>
■必要経験:
・物理、化学、機械のいずれかに関する知識
・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識
■歓迎条件:
・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験
・英語力(TOEIC(R)テスト(R) 600点以上)
情報提供元:
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