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海外、機器・デバイス設計・開発、IT・通信系の転職・求人検索結果

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3件中、
1〜3件を表示

    • NEW
    • 正社員
    • フレックスタイム制
    • 年間休日120日以上
    • 土日祝日休み
    • 完全週休2日制

    華為技術日本株式会社

    【千葉/中国】パワーデバイスプロセスエンジニア(化合物半導体プロセス領域)◇HUAWEIの日本法人【エージェントサービス求人】

    【千葉/中国】パワーデバイスプロセスエンジニア(化合物半導体プロセス領域)◇HUAWEIの日本法人

    ■業務内容:【変更の範囲:会社の定める業務】
    ・パワーデバイスパッケージ関連のプロセス開発、検証、量産導入を担当する
    ・製品開発から量産信頼性検証までを担当し、製造現場での品質…

    • 給与

      <予定年収>
      900万円〜1,500万円

      <賃金形態>
      年俸制

      <賃金内訳>
      年額(基本給):9,000,000円〜15,000,000円

      <月額>
      750,000円〜1,250,000円(12分割)

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      ※給与詳細は、経験・スキルを考慮した上で決定

      賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
      月給(月...

    • 場所

      <勤務地詳細1>
      船橋ラボ
      住所:千葉県船橋市鈴身町488-19
      勤務地最寄駅:北総線/小室駅
      受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり
      <勤務地詳細2>
      中国
      住所:海外 中国
      受動喫煙対策:屋内全面禁煙

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学卒以上
      <応募資格/応募条件>
      ■応募要件
      ・電力電子類、材料類、機械類などの専攻
      ・IGBT、化合物半導体パワーデバイスの動作原理及び信頼性試験に精通、業界の現状と発展動向を理解
      ・ハイパワーパッケージプロセス関連製品の製造技術に精通し、5年以上の化合物半導体/IGBT業界一流の有名企業IGBTパッケージプロセス量産/プロセス開発の現場での経験
      ・IGBT製品のコア...

    華為技術日本株式会社/【千葉/中国】パワーデバイスプロセスエンジニア(化合物半導体プロセス領域)◇HUAWEIの日本法人【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

    • NEW
    • 正社員
    • フレックスタイム制
    • 年間休日120日以上
    • 土日祝日休み
    • 完全週休2日制

    華為技術日本株式会社

    【千葉/中国】マイクロナノ製造プロセス統合専門家(化合物半導体プロセス統合領域)【エージェントサービス求人】

    【千葉/中国】マイクロナノ製造プロセス統合専門家(化合物半導体プロセス統合領域)

    ■業務内容:【変更の範囲:会社の定める業務】
    ・化合物半導体パワーデバイス設計、プロセス統合、プロセス開発及びプロジェクト推進関連業務を担当する
    ・ウエハー工場に関するデバイスプロセス、プロセス…

    • 給与

      <予定年収>
      1,300万円〜2,000万円

      <賃金形態>
      年俸制

      <賃金内訳>
      年額(基本給):13,000,000円〜20,000,000円

      <月額>
      1,083,333円〜1,666,666円(12分割)

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      ※給与詳細は、経験・スキルを考慮した上で決定

      賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。...

    • 場所

      <勤務地詳細1>
      船橋ラボ
      住所:千葉県船橋市鈴身町488-19
      勤務地最寄駅:北総線/小室駅
      受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり
      <勤務地詳細2>
      中国
      住所:海外 中国
      受動喫煙対策:屋内全面禁煙

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学卒以上
      <応募資格/応募条件>
      ■応募要件:
      ・修士以上、半導体物理学、マイクロエレクトロニクス、材料関連の専攻
      ・化合物半導体パワーデバイスの設計、物理構造、関連原理に精通しており、実際の開発・生産経験
      ・パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通
      ・化合物半導体材料の成長とデバイス設計とプロセス開発の経験
      ・化合物半導体材料と...

    華為技術日本株式会社/【千葉/中国】マイクロナノ製造プロセス統合専門家(化合物半導体プロセス統合領域)【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

    • NEW
    • 正社員
    • フレックスタイム制
    • 年間休日120日以上
    • 土日祝日休み
    • 完全週休2日制

    華為技術日本株式会社

    【千葉/中国】Hマイクロ・ナノ製造プロセスエンジニア(GaNデバイスプロセス方向)【エージェントサービス求人】

    【千葉/中国】Hマイクロ・ナノ製造プロセスエンジニア(GaNデバイスプロセス方向)

    ■業務内容:【変更の範囲:会社の定める業務】
    ・リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散、CMPなどのマイクロ・ナノプロセスにおける主要な技術的ブレークスルーを担当し、全プロセスを形成する。

    • 給与

      <予定年収>
      900万円〜1,500万円

      <賃金形態>
      年俸制

      <賃金内訳>
      年額(基本給):9,000,000円〜15,000,000円

      <月額>
      750,000円〜1,250,000円(12分割)

      <昇給有無>


      <残業手当>


      <給与補足>
      ※給与詳細は、経験・スキルを考慮した上で決定

      賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
      月給(月...

    • 場所

      <勤務地詳細1>
      船橋ラボ
      住所:千葉県船橋市鈴身町488-19
      勤務地最寄駅:北総線/小室駅
      受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり
      <勤務地詳細2>
      中国
      住所:海外 中国
      受動喫煙対策:屋内全面禁煙

    • 応募資格

      <最終学歴>大学院、大学卒以上
      <応募資格/応募条件>
      ■必須条件:
      ・理工学専攻、学士以上の者
      ・リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散、CMP などの1つ以上の装置またはプロセスにおける3年以上の経験
      ・リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散またはCMP関連のプロセスおよび材料に精通している

    華為技術日本株式会社/【千葉/中国】Hマイクロ・ナノ製造プロセスエンジニア(GaNデバイスプロセス方向)【エージェントサービス求人】

    情報提供元: doda(デューダ)の求人情報

3件中、
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