東海/機器・デバイス設計・開発/化学・素材業界で年間休日120日以上/【40代】の転職・求人情報一覧

化合物半導体の製品開発エンジニア/静岡県富士市

目に見えないウイルスや菌への衛生意識が高まる中、旭化成の深紫外線LEDは、空気清浄機や給水器などに組み込まれ様々な場面で使用されています。
更なる事業拡大に向けた製品開発体制を強化していくため、新たな仲間を募集します。

【変更…

• 給与

  ＜予定年収＞
  606万円〜1,029万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：243,820円〜574,000円
  
  ＜月給＞
  243,820円〜574,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ■昇給：年1回
  ■賞与：年2回（過去実績5.04ヶ月）
  ■参考年収：
  30歳／月給：355,000円／年収：6,060,000円
  35歳／月給：430,00...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  富士支社
  住所：静岡県富士市鮫島2-1
  勤務地最寄駅：東海道新幹線／新富士駅
  受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必須条件：
  ・半導体デバイスに関する製品開発経験
  
  ■歓迎条件：
  ・半導体デバイスプロセス経験
  ・MOCVD装置の経験
  ・光学系の知見
  ・プログラミングスキル（Python、Labview、Vee　など）
  
  

リーダー候補/AlN基板を用いたパワー半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究/愛知県名古屋市

旭化成グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後…

• 給与

  ＜予定年収＞
  606万円〜1,029万円
  
  ＜賃金形態＞
  月給制
  
  ＜賃金内訳＞
  月額（基本給）：243,820円〜574,000円
  
  ＜月給＞
  243,820円〜574,000円
  
  ＜昇給有無＞
  有
  
  ＜残業手当＞
  有
  
  ＜給与補足＞
  ■昇給年1回
  ■賞与年2回（過去実績5.04ヶ月）
  ■参考年収
  35歳／月給：430,000円／年収：7,330,000円
  40歳／月給：574,000円／...

• 場所

  ＜勤務地詳細＞
  名古屋大学C-TECｓ（旭化成産学連携講座）
  住所：愛知県名古屋市千種区不老町
  受動喫煙対策：屋内全面禁煙

• 応募資格

  ＜最終学歴＞大学院卒以上
  ＜応募資格/応募条件＞
  ■必須条件：
  ・MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験（目安3年以上）
  
  ■歓迎条件：
  ・窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
  ・現場作業安全に関連する資格（危険物取扱者、特化則、有機則など）